Справочник MOSFET. SE18NS65A

 

SE18NS65A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE18NS65A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SE18NS65A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE18NS65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  cn sino-ic
 se18ns65a.pdf pdf_icon

SE18NS65A

Apr 2015SE18NS65AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =160m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin conf

Другие MOSFET... SE1216 , SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , STP80NF70 , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , SE20P03 .

History: SFF100N20 | SVS7N70FD2 | CSD17573Q5B | SIHFI740G | STB120N10F4 | AON6667

 

 
Back to Top

 


 
.