SE18NS65A - описание и поиск аналогов

 

SE18NS65A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE18NS65A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SE18NS65A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE18NS65A даташит

 ..1. Size:512K  cn sino-ic
 se18ns65a.pdf pdf_icon

SE18NS65A

Apr 2015 SE18NS65A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =160m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin conf

Другие MOSFET... SE1216 , SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , 10N65 , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , SE20P03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.