SE1991G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE1991G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 223 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 115 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1360 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220 TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE1991G
SE1991G Datasheet (PDF)
se1991g.pdf
SE1991GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee
se1991ga.pdf
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