SE1991G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE1991G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 223 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1360 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
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SE1991G datasheet
se1991g.pdf
SE1991G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, V =100V DS such as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10V DS(ON) GS low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin configurations See
se1991ga.pdf
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History: NTD3055L170 | NTD40N03R
History: NTD3055L170 | NTD40N03R
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