SE1991G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE1991G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO220 TO263
Аналог (замена) для SE1991G
SE1991G Datasheet (PDF)
se1991g.pdf

SE1991GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee
se1991ga.pdf

SE1991GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSe
Другие MOSFET... SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , 13N50 , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 .
History: RFP30P06 | NTMS10P02R2G | SSF4004S | PSMG150-01
History: RFP30P06 | NTMS10P02R2G | SSF4004S | PSMG150-01



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333