Справочник MOSFET. SE1991G

 

SE1991G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE1991G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO263
 

 Аналог (замена) для SE1991G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE1991G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  cn sino-ic
 se1991g.pdf pdf_icon

SE1991G

SE1991GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee

 0.1. Size:359K  cn sino-ic
 se1991ga.pdf pdf_icon

SE1991G

SE1991GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =100VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =3.8m @V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSe

Другие MOSFET... SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , 13N50 , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 .

History: AP3N4R0H | NCE60N2K1R | SE20075

 

 
Back to Top

 


 
.