SE200100G Todos los transistores

 

SE200100G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE200100G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 333.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO220 TO263

 Búsqueda de reemplazo de SE200100G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SE200100G datasheet

 ..1. Size:765K  cn sino-ic
se200100g.pdf pdf_icon

SE200100G

SE200100G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent R with low gate DS(ON) V =200V DS charge. R =11m @V =10V DS(ON) GS High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurations See Di

 9.1. Size:42K  fairchild semi
kse200.pdf pdf_icon

SE200100G

KSE200 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V

 9.2. Size:88K  samsung
kse200.pdf pdf_icon

SE200100G

KSE200 POWER TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 1 (KSE200) KSE200 POWER TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 2 (KSE200)

Otros transistores... SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SI2302 , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140

 

 

↑ Back to Top
.