SE200100G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE200100G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 333.1 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
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SE200100G datasheet
se200100g.pdf
SE200100G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent R with low gate DS(ON) V =200V DS charge. R =11m @V =10V DS(ON) GS High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurations See Di
kse200.pdf
KSE200 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
kse200.pdf
KSE200 POWER TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 1 (KSE200) KSE200 POWER TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 2 (KSE200)
Otros transistores... SE138U , SE150110G , SE150180G , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SI2302 , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M .
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