Справочник MOSFET. SE200100G

 

SE200100G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE200100G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 333.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO263

 Аналог (замена) для SE200100G

 

 

SE200100G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:765K  cn sino-ic
 se200100g.pdf

SE200100G SE200100G

SE200100GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =200VDScharge. R =11m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configurationsSee Di

 9.1. Size:42K  fairchild semi
 kse200.pdf

SE200100G SE200100G

KSE200Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V

 9.2. Size:88K  samsung
 kse200.pdf

SE200100G SE200100G

KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KSE200)KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 2 (KSE200)

 9.3. Size:123K  gdr
 ssy20 sse200 sse201 sse202 sse216 sse219.pdf

SE200100G SE200100G

 9.4. Size:618K  cn sino-ic
 se20075.pdf

SE200100G SE200100G

SE20075N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 200VDSoperation voltage. This device is suitable for R =15.8m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

 9.5. Size:503K  cn sino-ic
 se20040.pdf

SE200100G SE200100G

SE20040N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 200VDSoperation voltage. This device is suitable for R =36.4m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top