SE200100G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE200100G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 63.2 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 333.1 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0135 Ohm
Тип корпуса: TO220 TO263
SE200100G Datasheet (PDF)
se200100g.pdf
SE200100GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =200VDScharge. R =11m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configurationsSee Di
kse200.pdf
KSE200Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
kse200.pdf
KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KSE200)KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 2 (KSE200)
se20075.pdf
SE20075N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 200VDSoperation voltage. This device is suitable for R =15.8m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline
se20040.pdf
SE20040N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 200VDSoperation voltage. This device is suitable for R =36.4m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
