SE2060 Todos los transistores

 

SE2060 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE2060
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3EP
 

 Búsqueda de reemplazo de SE2060 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SE2060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  cn sino-ic
 se2060.pdf pdf_icon

SE2060

Nov 2014SE2060N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =5.5m @V =4.5DS(ON) GSFOM R =8m @V =2.5DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline S

Otros transistores... SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , 2N60 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A .

History: IPDD60R125G7 | STB120N4LF6 | SRC60R108B | KI1N60DS | STB12NM50T4 | IRF6729MPBF | LNG2N60

 

 
Back to Top

 


 
.