SE2060 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE2060
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: DFN3X3EP
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SE2060 datasheet
se2060.pdf
Nov 2014 SE2060 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =5.5m @V =4.5 DS(ON) GS FOM R =8m @V =2.5 DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline S
Otros transistores... SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , 20N50 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A .
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