Справочник MOSFET. SE2060

 

SE2060 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE2060
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для SE2060

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE2060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  cn sino-ic
 se2060.pdf pdf_icon

SE2060

Nov 2014SE2060N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =5.5m @V =4.5DS(ON) GSFOM R =8m @V =2.5DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline S

Другие MOSFET... SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , 2N60 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A .

History: SSF3428 | AP60AN750IN | CM6N60F | PHX45NQ11T

 

 
Back to Top

 


 
.