SE2060 - описание и поиск аналогов

 

SE2060. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE2060

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для SE2060

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE2060 даташит

 ..1. Size:510K  cn sino-ic
 se2060.pdf pdf_icon

SE2060

Nov 2014 SE2060 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =5.5m @V =4.5 DS(ON) GS FOM R =8m @V =2.5 DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline S

Другие MOSFET... SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , 20N50 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A .

History: MEM2302M3 | AP85T10GP | IRL520NP | STD75N3LLH6 | WMQ30N03T2 | RCX081N20 | P0160AI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.