SE2060 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE2060
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3EP
Аналог (замена) для SE2060
SE2060 Datasheet (PDF)
se2060.pdf

Nov 2014SE2060N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =5.5m @V =4.5DS(ON) GSFOM R =8m @V =2.5DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline S
Другие MOSFET... SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , IRF530 , SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A .
History: WMO80R720S | IRF523FI | MTE050N15BRV8
History: WMO80R720S | IRF523FI | MTE050N15BRV8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent