SE20P03 Todos los transistores

 

SE20P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE20P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de SE20P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SE20P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  cn sino-ic
 se20p03.pdf pdf_icon

SE20P03

SE20P03P-Channel MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =-30VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =50m @V =-10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee Diagram belowA

Otros transistores... SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , NCEP15T14 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , SE2333 , SE2N60B .

History: WSD30L90DN56 | SI2310A | WNMD2162 | STF12NM60N | STF2NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.