SE20P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE20P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 125 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 345 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE20P03
SE20P03 Datasheet (PDF)
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SE20P03P-Channel MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =-30VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =50m @V =-10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee Diagram belowA
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