SE20P03 Todos los transistores

 

SE20P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE20P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO252 TO251

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SE20P03 datasheet

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SE20P03

SE20P03 P-Channel MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, V =-30V DS such as fast switching time, low gate charge, R =50m @V =-10V DS(ON) GS low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin configurations See Diagram below A

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