Справочник MOSFET. SE20P03

 

SE20P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE20P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252 TO251
 

 Аналог (замена) для SE20P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE20P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  cn sino-ic
 se20p03.pdf pdf_icon

SE20P03

SE20P03P-Channel MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =-30VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =50m @V =-10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee Diagram belowA

Другие MOSFET... SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 , SE20N110 , IRFB31N20D , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , SE2333 , SE2N60B .

History: SI8499DB | SWT69N65K2F | AOH3106 | 2SJ285 | APT60M75L2LL | STD30PF03L-1

 

 
Back to Top

 


 
.