SE2333 Todos los transistores

 

SE2333 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE2333

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SE2333 datasheet

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SE2333

SE2333 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For a single MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V = -20V DS operation voltage. This device is suitable for R = 20m @ V =-4.5V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

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