SE2333 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE2333
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 11.5 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 390 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE2333
SE2333 Datasheet (PDF)
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SE2333P-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = -20VDSoperation voltage. This device is suitable for R = 20m @ V =-4.5VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline
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