Справочник MOSFET. SE2333

 

SE2333 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE2333
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SE2333 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  cn sino-ic
 se2333.pdf pdf_icon

SE2333

SE2333P-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = -20VDSoperation voltage. This device is suitable for R = 20m @ V =-4.5VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NX3020NAKS

 

 
Back to Top

 


 
.