SE2333 - описание и поиск аналогов

 

SE2333. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE2333

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SE2333

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE2333 даташит

 ..1. Size:568K  cn sino-ic
 se2333.pdf pdf_icon

SE2333

SE2333 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For a single MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V = -20V DS operation voltage. This device is suitable for R = 20m @ V =-4.5V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие MOSFET... SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , AO3400A , SE2N60B , SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 .

History: AGM665E | MTP12N10L | GM8205

 

 

 

 

↑ Back to Top
.