Справочник MOSFET. SE2333

 

SE2333 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE2333
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SE2333

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE2333 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  cn sino-ic
 se2333.pdf pdf_icon

SE2333

SE2333P-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = -20VDSoperation voltage. This device is suitable for R = 20m @ V =-4.5VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие MOSFET... SE20N110 , SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , RU6888R , SE2N60B , SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 .

History: QM2416J | FDS7088N7 | MMFT5P03HDT1 | QM3208S | MPSA65M170 | NTMFS4C10N | SUD40N02-3M3P

 

 
Back to Top

 


 
.