SE2N60B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE2N60B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm
Encapsulados: TO252
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SE2N60B datasheet
se2n60b.pdf
Oct 2014 SE2N60B N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 600V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 3.4 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin co
Otros transistores... SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , SE2333 , IRFB31N20D , SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 .
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