SE2N60B - описание и поиск аналогов

 

SE2N60B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE2N60B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SE2N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE2N60B даташит

 ..1. Size:1061K  cn sino-ic
 se2n60b.pdf pdf_icon

SE2N60B

Oct 2014 SE2N60B N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 600V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 3.4 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin co

Другие MOSFET... SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , SE2333 , IRFB31N20D , SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 .

History: H10N60E | 2SK1566 | IXFE39N90 | 2SK161 | LSB60R280HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.