Справочник MOSFET. SE2N60B

 

SE2N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE2N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SE2N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE2N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1061K  cn sino-ic
 se2n60b.pdf pdf_icon

SE2N60B

Oct 2014 SE2N60B N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 600V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 3.4 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin co

Другие MOSFET... SE20P03 , SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , SE2333 , IRF730 , SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 .

History: AT7N65S | PPM523T201E0 | FDD6N50TM

 

 
Back to Top

 


 
.