SE2N7002 Todos los transistores

 

SE2N7002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE2N7002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 max nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 typ Ohm

Encapsulados: SOT23

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SE2N7002 datasheet

 ..1. Size:280K  cn sino-ic
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SE2N7002

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

 0.1. Size:281K  cn sino-ic
 se2n7002k.pdf pdf_icon

SE2N7002

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002K 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

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