SE2N7002 Todos los transistores

 

SE2N7002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE2N7002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25(max) nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SE2N7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  cn sino-ic
 se2n7002.pdf pdf_icon

SE2N7002

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

 0.1. Size:281K  cn sino-ic
 se2n7002k.pdf pdf_icon

SE2N7002

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002K 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

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History: AP60T03GJ | 2SK1737 | AT5N60S | NCE80T900D | SFF054Z | AP9576GM-HF | SI9424DY

 

 
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