Справочник MOSFET. SE2N7002

 

SE2N7002 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE2N7002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.85 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25(max) ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SE2N7002

 

 

SE2N7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  cn sino-ic
 se2n7002.pdf

SE2N7002 SE2N7002

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

 0.1. Size:281K  cn sino-ic
 se2n7002k.pdf

SE2N7002 SE2N7002

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002K 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top