Справочник MOSFET. SE2N7002

 

SE2N7002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE2N7002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25(max) ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SE2N7002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE2N7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  cn sino-ic
 se2n7002.pdf pdf_icon

SE2N7002

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

 0.1. Size:281K  cn sino-ic
 se2n7002k.pdf pdf_icon

SE2N7002

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002K 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

Другие MOSFET... SE2101 , SE2101E , SE2102M , SE2300 , SE2302U , SE2305A , SE2333 , SE2N60B , IRFZ48N , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 , SE3050 .

History: STV200N55F3 | SPI15N60CFD | CED3172 | 2SK1546 | SM2F07NSU | 2SK2408 | CEU83A3

 

 
Back to Top

 


 
.