SE30200 Todos los transistores

 

SE30200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE30200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 898 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de SE30200 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SE30200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  cn sino-ic
 se30200.pdf pdf_icon

SE30200

Mar 2015SE30200N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =30VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =1.6m @V =10 @I =30ADS(ON) GS DSFOM R =2.1m @V =4.5 @I =25ADS(ON) GS DS Simple Drive Requirement Smal

Otros transistores... SE2N60B , SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , AON7403 , SE3050 , SE472 , SE3060D , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , SE3090K .

History: HGI053N06SL | GSM4822WS | IRLS3036-7P | SI2319DS | QM3014M6 | CS6790 | ST2304

 

 
Back to Top

 


 
.