SE30200 - описание и поиск аналогов

 

SE30200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE30200

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6

Аналог (замена) для SE30200

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE30200 даташит

 ..1. Size:443K  cn sino-ic
 se30200.pdf pdf_icon

SE30200

Mar 2015 SE30200 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =30V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =1.6m @V =10 @I =30A DS(ON) GS DS FOM R =2.1m @V =4.5 @I =25A DS(ON) GS DS Simple Drive Requirement Smal

Другие MOSFET... SE2N60B , SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , IRF9640 , SE3050 , SE472 , SE3060D , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , SE3090K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.