Справочник MOSFET. SE30200

 

SE30200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE30200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6
 

 Аналог (замена) для SE30200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE30200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  cn sino-ic
 se30200.pdf pdf_icon

SE30200

Mar 2015SE30200N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =30VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =1.6m @V =10 @I =30ADS(ON) GS DSFOM R =2.1m @V =4.5 @I =25ADS(ON) GS DS Simple Drive Requirement Smal

Другие MOSFET... SE2N60B , SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , AON7403 , SE3050 , SE472 , SE3060D , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , SE3090K .

History: H04N65E | RQA0009SXAQS | APT12067B2FLLG

 

 
Back to Top

 


 
.