SE3050 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE3050
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Encapsulados: TO252
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SE3050 datasheet
se3050 se472.pdf
Aug 2015 SE3050/SE472 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =30V DS low gate charge. It can be used in a wide R
kse3055t.pdf
KSE3055T General Purpose and Switching Applications DC Current Gain Specified to IC =10A High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2MHz (Min.) TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector -Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-
Otros transistores... SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 , IRFB7545 , SE472 , SE3060D , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , SE3090K , SE30P09D .
History: 2SK2634
History: 2SK2634
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