SE3050 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE3050
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE3050

SE3050 Datasheet (PDF)

..1. Size:410K cn sino-ic
se3050 se472.pdf

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9.1. Size:38K fairchild semi
kse3055t.pdf

KSE3055TGeneral Purpose and Switching Applications DC Current Gain Specified to IC =10A High Current Gain-Bandwidth Product : fT = 2MHz (Min.)TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector -Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-

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Liste

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