SE3050 - описание и поиск аналогов

 

SE3050. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE3050

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SE3050

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3050 даташит

 ..1. Size:410K  cn sino-ic
 se3050 se472.pdf pdf_icon

SE3050

Aug 2015 SE3050/SE472 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =30V DS low gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:38K  fairchild semi
 kse3055t.pdf pdf_icon

SE3050

KSE3055T General Purpose and Switching Applications DC Current Gain Specified to IC =10A High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2MHz (Min.) TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector -Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-

Другие MOSFET... SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 , IRFB7545 , SE472 , SE3060D , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , SE3090K , SE30P09D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.