Справочник MOSFET. SE3050

 

SE3050 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE3050
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SE3050

 

 

SE3050 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  cn sino-ic
 se3050 se472.pdf

SE3050 SE3050

Aug 2015SE3050/SE472N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =30VDSlow gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:38K  fairchild semi
 kse3055t.pdf

SE3050 SE3050

KSE3055TGeneral Purpose and Switching Applications DC Current Gain Specified to IC =10A High Current Gain-Bandwidth Product : fT = 2MHz (Min.)TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector -Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top