Справочник MOSFET. SE3050

 

SE3050 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE3050
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SE3050

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3050 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  cn sino-ic
 se3050 se472.pdf pdf_icon

SE3050

Aug 2015SE3050/SE472N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =30VDSlow gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:38K  fairchild semi
 kse3055t.pdf pdf_icon

SE3050

KSE3055TGeneral Purpose and Switching Applications DC Current Gain Specified to IC =10A High Current Gain-Bandwidth Product : fT = 2MHz (Min.)TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector -Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-

Другие MOSFET... SE2N7002 , SE2N7002K , SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 , 8N60 , SE472 , SE3060D , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , SE3090K , SE30P09D .

History: STF13N60M2 | CS7456 | SI7491DP | STD4NK50ZD | PSMN5R6-100PS | SIHFD014

 

 
Back to Top

 


 
.