FCA76N60N Todos los transistores

 

FCA76N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCA76N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 543 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
     - Selección de transistores por parámetros

 

FCA76N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  fairchild semi
 fca76n60n.pdf pdf_icon

FCA76N60N

May 2010SupreMOS TMFCA76N60NN-Channel MOSFET 600V, 76A, 36mFeatures Description RDS(on) = 28m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based Low Effective Ou

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History: RQK0603CGDQS | RRL025P03 | LSF60R380HT | AOSP32368 | IPI80N04S2-04 | 7N80G-TF3-T | ASDM3080KQ

 

 
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