FCA76N60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCA76N60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 543 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de FCA76N60N MOSFET
FCA76N60N PDF Specs
fca76n60n.pdf
May 2010 SupreMOS TM FCA76N60N N-Channel MOSFET 600V, 76A, 36m Features Description RDS(on) = 28m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based Low Effective Ou... See More ⇒
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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