FCA76N60N Todos los transistores

 

FCA76N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCA76N60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 543 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 76 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 218 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.036 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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FCA76N60N Datasheet (PDF)

1.1. fca76n60n.pdf Size:715K _fairchild_semi

FCA76N60N
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May 2010 SupreMOS TM FCA76N60N N-Channel MOSFET 600V, 76A, 36m? Features Description RDS(on) = 28m? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based Low Effective Output Capacita

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