Справочник MOSFET. FCA76N60N

 

FCA76N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCA76N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FCA76N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA76N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  fairchild semi
 fca76n60n.pdf pdf_icon

FCA76N60N

May 2010SupreMOS TMFCA76N60NN-Channel MOSFET 600V, 76A, 36mFeatures Description RDS(on) = 28m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based Low Effective Ou

Другие MOSFET... FCA36N60NF , IRF3705 , FCA47N60 , BUZ81 , FCA47N60F109 , FQP10N60C , FQPF10N60C , FCA47N60F , IRFZ44 , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 , FCB20N60 , 2SK3057 , 2SK3469-01MR , FCB20N60F , FCB36N60N .

History: FSYA250D | FXN10N50F

 

 
Back to Top

 


 
.