Справочник MOSFET. FCA76N60N

 

FCA76N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCA76N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA76N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  fairchild semi
 fca76n60n.pdf pdf_icon

FCA76N60N

May 2010SupreMOS TMFCA76N60NN-Channel MOSFET 600V, 76A, 36mFeatures Description RDS(on) = 28m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based Low Effective Ou

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP9970AGP | FDC654P | OSG55R074HSZF | PNMET20V06E | 2SK1501 | PJM02N60SA | SPD04N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.