FCA76N60N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FCA76N60N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FCA76N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA76N60N даташит

 ..1. Size:715K  fairchild semi
 fca76n60n.pdf pdf_icon

FCA76N60N

May 2010 SupreMOS TM FCA76N60N N-Channel MOSFET 600V, 76A, 36m Features Description RDS(on) = 28m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based Low Effective Ou

Другие IGBT... FCA36N60NF, IRF3705, FCA47N60, BUZ81, FCA47N60F109, FQP10N60C, FQPF10N60C, FCA47N60F, IRFB4110, 2SJ245, FCB11N60, 2SK3653, FCB20N60, 2SK3057, 2SK3469-01MR, FCB20N60F, FCB36N60N