SE3060D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE3060D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
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SE3060D datasheet
se3060d.pdf
SE3060D N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =30V DS low gate charge. It can be used in a wide R =5.5m @V =10V DS(ON) GS variety of application R =6m @V =5V DS(ON) GS Pin configurations See Diagram below D D D D 5 6
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