Справочник MOSFET. SE3060D

 

SE3060D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE3060D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3 DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SE3060D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3060D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  cn sino-ic
 se3060d.pdf pdf_icon

SE3060D

SE3060DN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =30VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =5.5m @V =10VDS(ON) GSvariety of application R =6m @V =5VDS(ON) GSPin configurationsSee Diagram belowD D D D5 6

Другие MOSFET... SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 , SE3050 , SE472 , IRF9640 , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , SE3090K , SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | DH033N04D | QM3018D | BSC047N08NS3G

 

 
Back to Top

 


 
.