SE3060D - описание и поиск аналогов

 

SE3060D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE3060D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3 DFN5X6

Аналог (замена) для SE3060D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3060D даташит

 ..1. Size:429K  cn sino-ic
 se3060d.pdf pdf_icon

SE3060D

SE3060D N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =30V DS low gate charge. It can be used in a wide R =5.5m @V =10V DS(ON) GS variety of application R =6m @V =5V DS(ON) GS Pin configurations See Diagram below D D D D 5 6

Другие MOSFET... SE30100B , SE30150 , SE30150A , SE30150B , SE3018 , SE30200 , SE3050 , SE472 , K2611 , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , SE3090K , SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D .

History: MTW10N40E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.