SE3090K Todos los transistores

 

SE3090K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE3090K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SE3090K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  cn sino-ic
 se3090k.pdf pdf_icon

SE3090K

SE3090KN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 30VDSlow gate charge. It can be used in a wide R = 4.1m @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-252Absolute Maximum RatingsParamete

 9.1. Size:805K  winsok
 wse3099.pdf pdf_icon

SE3090K

WSE3099 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP3099 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 53m -5.0Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP3099 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reli

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History: P2904BD | SWB056R68E7T | RU1Z120R | FKV460S | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03

 

 
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