SE3090K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE3090K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
Encapsulados: TO252
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SE3090K datasheet
se3090k.pdf
SE3090K N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V = 30V DS low gate charge. It can be used in a wide R = 4.1m @ V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below TO-252 Absolute Maximum Ratings Paramete
wse3099.pdf
WSE3099 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP3099 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 53m -5.0A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP3099 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reli
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