SE3090K - описание и поиск аналогов

 

SE3090K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE3090K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SE3090K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3090K даташит

 ..1. Size:659K  cn sino-ic
 se3090k.pdf pdf_icon

SE3090K

SE3090K N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V = 30V DS low gate charge. It can be used in a wide R = 4.1m @ V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below TO-252 Absolute Maximum Ratings Paramete

 9.1. Size:805K  winsok
 wse3099.pdf pdf_icon

SE3090K

WSE3099 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP3099 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 53m -5.0A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP3099 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reli

Другие MOSFET... SE30200 , SE3050 , SE472 , SE3060D , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , AO4407A , SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , SE3401B , SE3N150P .

History: AP70WN2K8H | AOD514

 

 

 

 

↑ Back to Top
.