SE3090K - аналоги и даташиты транзистора

 

SE3090K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SE3090K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SE3090K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3090K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  cn sino-ic
 se3090k.pdf pdf_icon

SE3090K

SE3090KN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 30VDSlow gate charge. It can be used in a wide R = 4.1m @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-252Absolute Maximum RatingsParamete

 9.1. Size:805K  winsok
 wse3099.pdf pdf_icon

SE3090K

WSE3099 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP3099 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 53m -5.0Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP3099 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reli

Другие MOSFET... SE30200 , SE3050 , SE472 , SE3060D , SE3080A , SE3080K , SE3080G , SE3082G , BS170 , SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , SE3401B , SE3N150P .

History: BSC220N20NSFD | SE630K | 4N65L-TF3T-T | BSP320S | 4N60L-TF3T-T | SWD4N65DA | RU75N08

 

 
Back to Top

 


 
.