SE3205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE3205A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.9 V
Carga de la puerta (Qg): 146(max) nC
Tiempo de subida (tr): 101 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 781 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0079 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE3205A
SE3205A Datasheet (PDF)
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Dec 2014 SE3205A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate VDS = 55V charge. RDS(ON) = 6.5m @ VGS=10V High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin co
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