Справочник MOSFET. SE3205A

 

SE3205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE3205A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SE3205A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1084K  cn sino-ic
 se3205a.pdf pdf_icon

SE3205A

Dec 2014 SE3205A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate VDS = 55V charge. RDS(ON) = 6.5m @ VGS=10V High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin co

Другие MOSFET... SE3080G , SE3082G , SE3090K , SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , IRF3205 , SE3401B , SE3N150P , SE40120A , SE40150 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 .

History: SI4436DY | 2SK891 | AP4533GEH-HF | TPD65R520D | PTD80N06

 

 
Back to Top

 


 
.