SE3205A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE3205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
Тип корпуса: TO220
SE3205A Datasheet (PDF)
se3205a.pdf
Dec 2014 SE3205A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate VDS = 55V charge. RDS(ON) = 6.5m @ VGS=10V High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin co
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918