SE3N150P Todos los transistores

SE3N150P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE3N150P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.2 Ohm

Encapsulados: TO3P

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros