SE3N150P Todos los transistores

 

SE3N150P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE3N150P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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SE3N150P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  cn sino-ic
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SE3N150P

Oct 2014SE3N150PN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V = 1500VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =6 @ V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configura

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History: SE3401B | IRFSL59N10D | WMQ060N08LG2 | TK62J60W5 | WMK119N12HG4 | BSC600N25NS3G | BSS138A

 

 
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