SE3N150P - аналоги и даташиты транзистора

 

SE3N150P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SE3N150P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SE3N150P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3N150P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  cn sino-ic
 se3n150p.pdf pdf_icon

SE3N150P

Oct 2014SE3N150PN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V = 1500VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =6 @ V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configura

Другие MOSFET... SE3090K , SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , SE3401B , 20N60 , SE40120A , SE40150 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S .

History: BSF077N06NT3G | FA57SA50LCP | IRF7303Q | SM2202NSQG | AOCA24106E | HA20N60 | 2SK2756-01R

 

 
Back to Top

 


 
.