SE3N150P - описание и поиск аналогов

 

SE3N150P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE3N150P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SE3N150P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3N150P даташит

 ..1. Size:492K  cn sino-ic
 se3n150p.pdf pdf_icon

SE3N150P

Oct 2014 SE3N150P N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, V = 1500V DS such as fast switching time, low gate charge, R =6 @ V =10V DS(ON) GS low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin configura

Другие MOSFET... SE3090K , SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , SE3401B , IRF840 , SE40120A , SE40150 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.