Справочник MOSFET. SE3N150P

 

SE3N150P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE3N150P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3N150P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  cn sino-ic
 se3n150p.pdf pdf_icon

SE3N150P

Oct 2014SE3N150PN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V = 1500VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =6 @ V =10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configura

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI7402DN | IRFPE30 | STP5NB40 | IPP16CN10NG | IRLR9343TR | INK0302AC1 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.