SE40300GTS Todos los transistores

 

SE40300GTS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE40300GTS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 288 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TO247S

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SE40300GTS datasheet

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SE40300GTS

SE40300GTS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM R =1.7m @V =10V DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

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History: SMG2342N | BSZ050N03LS

 

 

 

 

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