Справочник MOSFET. SE40300GTS

 

SE40300GTS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE40300GTS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 288 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO247S
 

 Аналог (замена) для SE40300GTS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE40300GTS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  cn sino-ic
 se40300gts.pdf pdf_icon

SE40300GTS

SE40300GTSN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through FOM R =1.7m @V =10VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

Другие MOSFET... SE30P50B , SE3205A , SE3401B , SE3N150P , SE40120A , SE40150 , SE40160A , SE4020B , IRF640 , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , SE4435 , SE4606 , SE4606L .

History: HUFA75337G3 | TPC60R150C | BRCS065N08SHRA

 

 
Back to Top

 


 
.