SE6080S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE6080S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 960 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE6080S
SE6080S Datasheet (PDF)
se4060 se6080s se8090s.pdf
May 2015SE4060,SE6080S,SE8090SN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device
se6080a.pdf
Dec 2014SE6080AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =60VDScharge. R =6.5m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configurat
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SFS08R07GF | SM4828APRL
