SE6080S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE6080S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE6080S

SE6080S Datasheet (PDF)

..1. Size:910K cn sino-ic
se4060 se6080s se8090s.pdf

May 2015SE4060,SE6080S,SE8090SN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

8.1. Size:437K cn sino-ic
se6080a.pdf

Dec 2014SE6080AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =60VDScharge. R =6.5m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configurat

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: