SE6080S - описание и поиск аналогов

 

SE6080S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE6080S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SE6080S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE6080S даташит

 ..1. Size:910K  cn sino-ic
 se4060 se6080s se8090s.pdf pdf_icon

SE6080S

May 2015 SE4060,SE6080S,SE8090S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

 8.1. Size:437K  cn sino-ic
 se6080a.pdf pdf_icon

SE6080S

Dec 2014 SE6080A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent R with low gate DS(ON) V =60V DS charge. R =6.5m @V =10V DS(ON) GS High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurat

Другие MOSFET... SE3401B , SE3N150P , SE40120A , SE40150 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , IRF640 , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 .

History: SML5011AFN | IRLD120PBF | IRFU024 | AP70SL1K4BH | IXFH12N90P | R6520KNZ1 | NTMFS4934N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.