Справочник MOSFET. SE6080S

 

SE6080S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE6080S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE6080S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  cn sino-ic
 se4060 se6080s se8090s.pdf pdf_icon

SE6080S

May 2015SE4060,SE6080S,SE8090SN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

 8.1. Size:437K  cn sino-ic
 se6080a.pdf pdf_icon

SE6080S

Dec 2014SE6080AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =60VDScharge. R =6.5m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configurat

Другие MOSFET... SE3401B , SE3N150P , SE40120A , SE40150 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , IRFP460 , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 .

History: TMPF7N65Z

 

 
Back to Top

 


 
.