SE4060GB Todos los transistores

 

SE4060GB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE4060GB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO252

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SE4060GB datasheet

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SE4060GB

SE4060GB N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =45V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7.5m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

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SE4060GB

May 2015 SE4060,SE6080S,SE8090S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

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