Справочник MOSFET. SE4060GB

 

SE4060GB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE4060GB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SE4060GB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE4060GB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  cn sino-ic
 se4060gb.pdf pdf_icon

SE4060GB

SE4060GBN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =45VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7.5m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

 8.1. Size:910K  cn sino-ic
 se4060 se6080s se8090s.pdf pdf_icon

SE4060GB

May 2015SE4060,SE6080S,SE8090SN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

Другие MOSFET... SE40120A , SE40150 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , IRFP260N , SE40P20B , SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 .

History: NCEP8818AS

 

 
Back to Top

 


 
.