SE4060GB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE4060GB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO252
SE4060GB Datasheet (PDF)
se4060gb.pdf
SE4060GBN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =45VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7.5m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations
se4060 se6080s se8090s.pdf
May 2015SE4060,SE6080S,SE8090SN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918