SE4435 Todos los transistores

 

SE4435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE4435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SE4435 datasheet

 ..1. Size:306K  cn sino-ic
se4435.pdf pdf_icon

SE4435

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4435 30V P-Channel MOSFET Revision A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide RDS(ON)

Otros transistores... SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , IRF640N , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B .

 

 

 


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