SE4435 Todos los transistores

 

SE4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SE4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  cn sino-ic
 se4435.pdf pdf_icon

SE4435

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4435 30V P-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide RDS(ON)

Otros transistores... SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , IRFP260N , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B .

History: WNMD2162 | BSC120N03MS | SI2310A | STF12NM60N | WSD30L90DN56 | STF2NK60Z

 

 
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