SE4435 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE4435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SE4435
SE4435 Datasheet (PDF)
se4435.pdf
SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4435 30V P-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide RDS(ON)
Другие MOSFET... SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , IRF640N , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B .
History: AP9563M | ST3407SRG | 2SK1776 | SUD08P06-155L | IRF8306MTRPBF | APT5018SFLLG | FDP075N15AF102
History: AP9563M | ST3407SRG | 2SK1776 | SUD08P06-155L | IRF8306MTRPBF | APT5018SFLLG | FDP075N15AF102
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213


