Справочник MOSFET. SE4435

 

SE4435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE4435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SE4435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  cn sino-ic
 se4435.pdf pdf_icon

SE4435

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4435 30V P-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide RDS(ON)

Другие MOSFET... SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , IRF630 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B .

History: YJJ09N03A | STL2N80K5 | DMN6040SK3 | NTD5414NT4G | QM4306S | BL13N25-A | SIE832DF

 

 
Back to Top

 


 
.