SE4625 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4625
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Encapsulados: DFN2X2-6
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SE4625 datasheet
se4625.pdf
SE4625 Complementary Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For N-Channel MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V = 12V DS operation voltage. This device is suitable for using R = 28m @V =4.5V DS(ON) GS as a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFET DS(on) Small Packag
Otros transistores... SE4060GB , SE40P20B , SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , AON6414A , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B .
History: TT8U1TR | LSH65R1K5HT | MTP7N20
History: TT8U1TR | LSH65R1K5HT | MTP7N20
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