SE4625 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE4625
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE4625

SE4625 Datasheet (PDF)

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se4625.pdf

SE4625Complementary Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For N-Channel MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 12VDSoperation voltage. This device is suitable for using R = 28m@V =4.5VDS(ON) GSas a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFETDS(on) Small Packag

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Liste

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