Справочник MOSFET. SE4625

 

SE4625 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE4625
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SE4625 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1083K  cn sino-ic
 se4625.pdf pdf_icon

SE4625

SE4625Complementary Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For N-Channel MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 12VDSoperation voltage. This device is suitable for using R = 28m@V =4.5VDS(ON) GSas a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFETDS(on) Small Packag

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TF252TH | IRLD120PBF | AM2334N | SIA483DJ | IXTH13N80 | WSD3028DN | IXFN32N80P

 

 
Back to Top

 


 
.