SE4942B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4942B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
SE4942B Datasheet (PDF)
se4942b.pdf

May 2015SE4942BN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM R =16m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline
se4946.pdf

SHANGHAI July 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4946 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 6.5A (VGS = 10V) on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) =41m (VGS = 10V) RDS(ON) =52m (VGS = 4.5V) Pin configurations Se
Otros transistores... SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , IRF9540 , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B .
History: IRFH8303 | AP2310CGN-HF
History: IRFH8303 | AP2310CGN-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent