SE4942B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4942B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: SOP8
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SE4942B datasheet
se4942b.pdf
May 2015 SE4942B N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10V DS(ON) GS FOM R =16m @V =4.5V DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline
se4946.pdf
SHANGHAI July 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4946 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 6.5A (VGS = 10V) on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) =41m (VGS = 10V) RDS(ON) =52m (VGS = 4.5V) Pin configurations Se
Otros transistores... SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , 2N7000 , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B .
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