SE4942B - описание и поиск аналогов

 

SE4942B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE4942B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SE4942B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE4942B даташит

 ..1. Size:801K  cn sino-ic
 se4942b.pdf pdf_icon

SE4942B

May 2015 SE4942B N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10V DS(ON) GS FOM R =16m @V =4.5V DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline

 9.1. Size:314K  cn sino-ic
 se4946.pdf pdf_icon

SE4942B

SHANGHAI July 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4946 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 6.5A (VGS = 10V) on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) =41m (VGS = 10V) RDS(ON) =52m (VGS = 4.5V) Pin configurations Se

Другие MOSFET... SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , 2N7000 , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B .

History: JMSL0307AG | SVF840D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.