Справочник MOSFET. SE4942B

 

SE4942B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE4942B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SE4942B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:801K  cn sino-ic
 se4942b.pdf pdf_icon

SE4942B

May 2015SE4942BN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM R =16m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline

 9.1. Size:314K  cn sino-ic
 se4946.pdf pdf_icon

SE4942B

SHANGHAI July 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4946 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 6.5A (VGS = 10V) on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) =41m (VGS = 10V) RDS(ON) =52m (VGS = 4.5V) Pin configurations Se

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BL3N100-A | SMK0460D | ME15N10-G | NTP2955 | BLS60R150F-B | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.