SE4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F TO252 TO251
Búsqueda de reemplazo de SE4N65 MOSFET
SE4N65 Datasheet (PDF)
se4n65.pdf

Oct 2014 SE4N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 650V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 2.224 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin c
Otros transistores... SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , STP75NF75 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA .
History: ZXMN4A06G | 2N4416AC1B | ST2315S23R | 2N4445 | 2SK1414
History: ZXMN4A06G | 2N4416AC1B | ST2315S23R | 2N4445 | 2SK1414



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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