SE4N65 Todos los transistores

 

SE4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE4N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F TO252 TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

SE4N65 Datasheet (PDF)

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SE4N65

Oct 2014 SE4N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 650V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 2.224 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin c

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SH8K26 | SIHFI9Z14G | STD20NF06 | NCEP050N12GU | BUK7207-30B | BUK9840-55

 

 
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