SE4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE4N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 23.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 40 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F TO252 TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE4N65

SE4N65 Datasheet (PDF)

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se4n65.pdf

Oct 2014 SE4N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 650V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 2.224 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin c

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