SE4N65 Todos los transistores

 

SE4N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE4N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO220F TO252 TO251

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SE4N65 datasheet

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SE4N65

Oct 2014 SE4N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 650V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 2.224 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin c

Otros transistores... SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , 7N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA .

History: TK31V60W | APT10030L2VR

 

 

 

 

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