Справочник MOSFET. SE4N65

 

SE4N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F TO252 TO251
 

 Аналог (замена) для SE4N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1517K  cn sino-ic
 se4n65.pdf pdf_icon

SE4N65

Oct 2014 SE4N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 650V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 2.224 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin c

Другие MOSFET... SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , STP75NF75 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA .

History: 2SK2084STL-E

 

 
Back to Top

 


 
.