SE4N65 - описание и поиск аналогов

 

SE4N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE4N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F TO252 TO251

Аналог (замена) для SE4N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE4N65 даташит

 ..1. Size:1517K  cn sino-ic
 se4n65.pdf pdf_icon

SE4N65

Oct 2014 SE4N65 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFET and is designed to have better characteristics, VDS = 650V such as fast switching time, low gate charge, RDS(ON) = 2.224 @ VGS=10V low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics Pin c

Другие MOSFET... SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , 7N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA .

History: GP1M003A040XG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.