SE540A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE540A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SE540A MOSFET
SE540A Datasheet (PDF)
se540a.pdf

SE540A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 100V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 33m @ VGS=10 FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurat
Otros transistores... SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , STP75NF75 , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G .
History: WMQ099N10LG2 | WML28N60F2 | 4N65KG-TF3T-T | RUH120N140S | BSP171P | BSS138L99Z | BSF083N03LQG
History: WMQ099N10LG2 | WML28N60F2 | 4N65KG-TF3T-T | RUH120N140S | BSP171P | BSS138L99Z | BSF083N03LQG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent