SE540A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE540A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SE540A MOSFET
SE540A Datasheet (PDF)
se540a.pdf
SE540A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 100V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 33m @ VGS=10 FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurat
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History: 2SK2388 | SPD09N05 | JMSH1008PE | JMSH2010BC
History: 2SK2388 | SPD09N05 | JMSH1008PE | JMSH2010BC
Liste
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