SE540A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE540A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SE540A MOSFET
SE540A Datasheet (PDF)
se540a.pdf

SE540A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 100V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 33m @ VGS=10 FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurat
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History: 2N6849U | RU30C40M3 | RU30J30M3 | KP767V | 2SK739 | RU30C20M3 | 2N4447
History: 2N6849U | RU30C40M3 | RU30J30M3 | KP767V | 2SK739 | RU30C20M3 | 2N4447



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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