Справочник MOSFET. SE540A

 

SE540A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE540A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SE540A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1265K  cn sino-ic
 se540a.pdf pdf_icon

SE540A

SE540A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 100V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 33m @ VGS=10 FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHP45N03LT

 

 
Back to Top

 


 
.