SE540A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE540A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO220
SE540A Datasheet (PDF)
se540a.pdf
SE540A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche VDS = 100V Voltage and Current Improved Shoot-Through RDS(ON) = 33m @ VGS=10 FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurat
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918