SE6003C Todos los transistores

 

SE6003C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE6003C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO251

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SE6003C datasheet

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SE6003C

SE6003C N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =85m @V =10V DS(ON) GS FOM R =105m @V =4.5V DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface

Otros transistores... SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , IRF630 , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B .

History: BUK128-50DL | CS10N65F

 

 

 

 

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