SE6003C Todos los transistores

 

SE6003C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE6003C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SE6003C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  cn sino-ic
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SE6003C

SE6003CN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =85m @V =10VDS(ON) GSFOM R =105m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface

Otros transistores... SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , IRF630 , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B .

History: 2SK1569 | SI3477DV | 2SK3571 | 2SK3572 | 2SJ549L | 2SK1819-01MR | F10N65

 

 
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