SE6003C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE6003C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SE6003C
SE6003C Datasheet (PDF)
se6003c.pdf

SE6003CN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =85m @V =10VDS(ON) GSFOM R =105m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface
Другие MOSFET... SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , 7N65 , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B .
History: CED93A3 | OSG65R580DF | STF28N60DM2 | AFN5808W | IPB048N06LG | IPS0151S | HMS11N70F
History: CED93A3 | OSG65R580DF | STF28N60DM2 | AFN5808W | IPB048N06LG | IPS0151S | HMS11N70F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor