Справочник MOSFET. SE6003C

 

SE6003C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE6003C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SE6003C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE6003C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  cn sino-ic
 se6003c.pdf pdf_icon

SE6003C

SE6003CN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =85m @V =10VDS(ON) GSFOM R =105m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface

Другие MOSFET... SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , 7N65 , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.