SE60300G Todos los transistores

 

SE60300G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE60300G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247 DFN5X6
 

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SE60300G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  cn sino-ic
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SE60300G

Dec 2014SE60300GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =60VDScharge. R =1.6m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configura

Otros transistores... SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , IRF4905 , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P .

History: MMN8205 | TK20A25D | PHB20N06T | FDD86113LZ | IPB052N04NG | HMS11N70F | IPS0151S

 

 
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