SE60300G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE60300G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
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SE60300G datasheet
se60300g.pdf
Dec 2014 SE60300G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent R with low gate DS(ON) V =60V DS charge. R =1.6m @V =10V DS(ON) GS High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configura
Otros transistores... SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , IRF4905 , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P .
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