SE60300G - описание и поиск аналогов

 

SE60300G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE60300G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: TO247 DFN5X6

Аналог (замена) для SE60300G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE60300G даташит

 ..1. Size:340K  cn sino-ic
 se60300g.pdf pdf_icon

SE60300G

Dec 2014 SE60300G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent R with low gate DS(ON) V =60V DS charge. R =1.6m @V =10V DS(ON) GS High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configura

Другие MOSFET... SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , IRF4905 , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.