Справочник MOSFET. SE60300G

 

SE60300G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE60300G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TO247 DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SE60300G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  cn sino-ic
 se60300g.pdf pdf_icon

SE60300G

Dec 2014SE60300GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology and For a single MOSFETdesign to provide excellent R with low gateDS(ON) V =60VDScharge. R =1.6m @V =10VDS(ON) GS High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipationPin configura

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HAT1055R | SIHG47N60S | APT10M19BVR | HGI110N08AL | AO4449 | FHP830B | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.