SE6080A Todos los transistores

 

SE6080A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE6080A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO220

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SE6080A datasheet

 ..1. Size:437K  cn sino-ic
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SE6080A

Dec 2014 SE6080A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent R with low gate DS(ON) V =60V DS charge. R =6.5m @V =10V DS(ON) GS High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurat

 8.1. Size:910K  cn sino-ic
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SE6080A

May 2015 SE4060,SE6080S,SE8090S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

Otros transistores... SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , AO3401 , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA .

History: SWP340R10VT | FDS8949F085 | NTMFS4851N

 

 

 

 

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